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AOD403_DELTA

AOD403_DELTA

참조 용

부품 번호 AOD403_DELTA
PNEDA 부품 번호 AOD403_DELTA
설명 MOSFET P-CH TO252
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD403_DELTA 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD403_DELTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD403_DELTA, AOD403_DELTA 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 398.53 KB)
PDFAOD403_DELTA 데이터 시트 표지
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AOD403_DELTA 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3500pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7330pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 46µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

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공급자 장치 패키지

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