AOD4136L
참조 용
| 부품 번호 | AOD4136L |
| PNEDA 부품 번호 | AOD4136L |
| 설명 | MOSFET N-CH TO252 |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,508 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AOD4136L 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AOD4136L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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AOD4136L 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | SDMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 734pF @ 12.5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.57nC @ 4.5V Vgs (최대) 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9pF @ 3V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250mW (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-523 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.6A (Ta), 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1456pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.3W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 104mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 440pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 aMOS5™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 955pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 (DPAK) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
