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AOD514

AOD514

참조 용

부품 번호 AOD514
PNEDA 부품 번호 AOD514
설명 MOSFET N-CH 30V 17A TO252
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 98,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD514 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD514
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD514, AOD514 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 333.92 KB)
PDFAOD514_050 데이터 시트 표지
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AOD514 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds951pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

NTMSD3P102R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.34A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 16V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

730mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-WCSPC (1.5x1.0)

패키지 / 케이스

6-UFBGA, WLCSP

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 94A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6930pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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