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AOD607_001

AOD607_001

참조 용

부품 번호 AOD607_001
PNEDA 부품 번호 AOD607_001
설명 MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD607_001 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD607_001
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AOD607_001, AOD607_001 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 209.76 KB)
PDFAOD607_DELTA 데이터 시트 표지
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AOD607_001 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지TO-252-4L

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

265mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1010B-6

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

DMN32D4SDW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

650mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 15V

전력-최대

290mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

APTM50AM24SCG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

434nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19600pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

70V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

165A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

전력-최대

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작동 온도

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