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AOD66923

AOD66923

참조 용

부품 번호 AOD66923
PNEDA 부품 번호 AOD66923
설명 100V N-CHANNEL ALPHASGT TM
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,020
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOD66923 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOD66923
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOD66923, AOD66923 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 377.18 KB)
PDFAOD66923 데이터 시트 표지
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AOD66923 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaSGT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16.5A (Ta), 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1725pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)6.2W (Ta), 73W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10990pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK (7-Lead)

패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 8V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.1mOhm @ 8A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

879pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

16W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-WSON (2x2)

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

NTBS2D7N06M7

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6655pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

176W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK-3 (TO-263-3)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIE836DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

10-PolarPAK® (SH)

패키지 / 케이스

10-PolarPAK® (SH)

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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-

FET 유형

P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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