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AOE6932

AOE6932

참조 용

부품 번호 AOE6932
PNEDA 부품 번호 AOE6932
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,390
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOE6932 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOE6932
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AOE6932, AOE6932 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 477.86 KB)
PDFAOE6932 데이터 시트 표지
AOE6932 데이터 시트 페이지 2 AOE6932 데이터 시트 페이지 3 AOE6932 데이터 시트 페이지 4 AOE6932 데이터 시트 페이지 5 AOE6932 데이터 시트 페이지 6 AOE6932 데이터 시트 페이지 7 AOE6932 데이터 시트 페이지 8 AOE6932 데이터 시트 페이지 9 AOE6932 데이터 시트 페이지 10

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AOE6932 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)55A (Tc), 85A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
전력-최대24W, 52W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)

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-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

17-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

ISOPLUS-DIL™

FDG6320C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 140mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

NTJD4105CT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

FDMS8090

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 50V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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NVMFD5483NLT3G

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

668pF @ 25V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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