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AOI7N65

AOI7N65

참조 용

부품 번호 AOI7N65
PNEDA 부품 번호 AOI7N65
설명 MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOI7N65 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOI7N65
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOI7N65, AOI7N65 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 461.55 KB)
PDFAOI7N65 데이터 시트 표지
AOI7N65 데이터 시트 페이지 2 AOI7N65 데이터 시트 페이지 3 AOI7N65 데이터 시트 페이지 4 AOI7N65 데이터 시트 페이지 5 AOI7N65 데이터 시트 페이지 6

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AOI7N65 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1180pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)178W (Tc)
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-251A
패키지 / 케이스TO-251-3 Stub Leads, IPak

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

126mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

196pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SCT3022KLHRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 18.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

178nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2879pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

427W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247N

패키지 / 케이스

TO-247-3

NVD4810NT4G-TB01

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 11.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta), 50W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

950V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 140µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

478pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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공급자 장치 패키지

PG-SOT223

패키지 / 케이스

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