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AOK42S60L

AOK42S60L

참조 용

부품 번호 AOK42S60L
PNEDA 부품 번호 AOK42S60L
설명 MOSFET N-CH 600V 39A TO247
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 14,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOK42S60L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOK42S60L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOK42S60L, AOK42S60L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 507.59 KB)
PDFAOK42S60L 데이터 시트 표지
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  • AOK42S60L Distributor

AOK42S60L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈aMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs99mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2154pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)417W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 410µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

184pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

44W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

NTD4965NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 68A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1710pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.39W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN1R5-30YL,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.15V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

77.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5057pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

109W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.98W (Ta), 9.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-PQFN (2x2)

패키지 / 케이스

6-PowerVDFN

IXFN150N10

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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