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AOL1454G

AOL1454G

참조 용

부품 번호 AOL1454G
PNEDA 부품 번호 AOL1454G
설명 MOSFET
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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AOL1454G 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOL1454G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOL1454G, AOL1454G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 370.31 KB)
PDFAOL1454G 데이터 시트 표지
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AOL1454G 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaSGT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1480pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)6.2W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지UltraSO-8™
패키지 / 케이스3-PowerSMD, Flat Leads

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

109A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SP1

패키지 / 케이스

SP1

AOB298L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1670pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MGSF1N03LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

420mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

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14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

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29nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 20V

FET 기능

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Vgs (최대)

±20V

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670pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

5.7W (Ta), 31.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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공급자 장치 패키지

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