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AON3613

AON3613

참조 용

부품 번호 AON3613
PNEDA 부품 번호 AON3613
설명 MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON3613 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON3613
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON3613, AON3613 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 417.96 KB)
PDFAON3613 데이터 시트 표지
AON3613 데이터 시트 페이지 2 AON3613 데이터 시트 페이지 3 AON3613 데이터 시트 페이지 4 AON3613 데이터 시트 페이지 5 AON3613 데이터 시트 페이지 6 AON3613 데이터 시트 페이지 7 AON3613 데이터 시트 페이지 8 AON3613 데이터 시트 페이지 9

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AON3613 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel, Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs52mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds245pF @ 15V
전력-최대2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-DFN (2.9x2.3)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5245pF @ 30V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SH8K10SGZETB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC, 17.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF, 830F @ 10V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

AON6810

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1720pF @ 15V

전력-최대

4.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5.2x5.55)

FDMC6890NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

전력-최대

1.92W, 1.78W

작동 온도

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