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AON6413_101

AON6413_101

참조 용

부품 번호 AON6413_101
PNEDA 부품 번호 AON6413_101
설명 MOSFET P-CH 30V 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6413_101 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6413_101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • AON6413_101 Distributor

AON6413_101 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2142pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)6.2W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

NTTFS4C56NTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

HTNFET-T

Honeywell Aerospace

제조업체

Honeywell Aerospace

시리즈

HTMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Vgs (최대)

10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 28V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 225°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

4-Power Tab

패키지 / 케이스

4-SIP

FDC658AP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IPB110P06LMATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 5.55mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

281nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8500pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

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