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AON6452

AON6452

참조 용

부품 번호 AON6452
PNEDA 부품 번호 AON6452
설명 MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6452 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6452
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON6452, AON6452 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 400 KB)
PDFAON6452 데이터 시트 표지
AON6452 데이터 시트 페이지 2 AON6452 데이터 시트 페이지 3 AON6452 데이터 시트 페이지 4 AON6452 데이터 시트 페이지 5 AON6452 데이터 시트 페이지 6 AON6452 데이터 시트 페이지 7

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AON6452 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.5A (Ta), 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2200pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerSMD, Flat Leads

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

223W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Diodes Incorporated

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1643pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

810mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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TK35A65W5,S5X

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 2.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4100pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

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제조업체

IXYS

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

48A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

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