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AON6558

AON6558

참조 용

부품 번호 AON6558
PNEDA 부품 번호 AON6558
설명 MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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재고 있음 6,120
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예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6558 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6558
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON6558, AON6558 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 301.7 KB)
PDFAON6558 데이터 시트 표지
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AON6558 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaMOS
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1128pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)5W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerSMD, Flat Leads

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.6pF @ 16V

FET 기능

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

970mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

34pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

530mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

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10A (Ta), 24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

290W (Tc)

작동 온도

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