AON6590
참조 용
| 부품 번호 | AON6590 |
| PNEDA 부품 번호 | AON6590 |
| 설명 | MOSFET N-CH |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,966 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6590 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6590 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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AON6590 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 67A (Ta), 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8320pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 7.3W (Ta), 208W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerSMD, Flat Leads |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 186pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-88FL/MCPH6 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 7V @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 15V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 260pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FM 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.8A (Ta), 46.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 864pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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