AON6906A
참조 용
| 부품 번호 | AON6906A |
| PNEDA 부품 번호 | AON6906A |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,524 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6906A 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6906A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON6906A 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.1A, 10A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 9.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 670pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.9W, 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 15V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MA |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2.3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 10-AlphaDFN (3.01x1.52) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 145mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSMT6 (SC-95) |
