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AON6978

AON6978

참조 용

부품 번호 AON6978
PNEDA 부품 번호 AON6978
설명 MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6978 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6978
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6978, AON6978 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 476.95 KB)
PDFAON6978 데이터 시트 표지
AON6978 데이터 시트 페이지 2 AON6978 데이터 시트 페이지 3 AON6978 데이터 시트 페이지 4 AON6978 데이터 시트 페이지 5 AON6978 데이터 시트 페이지 6 AON6978 데이터 시트 페이지 7 AON6978 데이터 시트 페이지 8 AON6978 데이터 시트 페이지 9 AON6978 데이터 시트 페이지 10

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AON6978 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SRFET™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A, 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1010pF @ 15V
전력-최대3.6W, 4.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

200mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

APTM100VDA35T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

AON4807_001

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x2)

IRF7750GTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

UPA2374T1P-E1-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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