AON6994
참조 용
| 부품 번호 | AON6994 |
| PNEDA 부품 번호 | AON6994 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 49,716 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6994 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6994 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON6994 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 19A, 26A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 820pF @ 15V |
| 전력-최대 | 3.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN-EP (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 10Ohm @ 140mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12pF @ 10V 전력-최대 300mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20000pF @ 25V 전력-최대 780W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 15V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A, 38A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 30V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A, 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 20V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
