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AON7401_101

AON7401_101

참조 용

부품 번호 AON7401_101
PNEDA 부품 번호 AON7401_101
설명 MOSFET P-CH
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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AON7401_101 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON7401_101
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON7401_101, AON7401_101 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 485.16 KB)
PDFAON7401_101 데이터 시트 표지
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AON7401_101 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs14mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2600pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (3x3)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

151W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6750pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

2SK4177-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SMP-FD

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK4126

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

720mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

565pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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