AON7424
참조 용
| 부품 번호 | AON7424 |
| PNEDA 부품 번호 | AON7424 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,952 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON7424 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON7424 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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AON7424 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta), 40A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3450pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (3x3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVII-H FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs 195mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.1nC @ 4.2V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 130pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 ES6 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대) +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 840pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 UFM 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 97mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.4W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3L 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
