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AON7442

AON7442

참조 용

부품 번호 AON7442
PNEDA 부품 번호 AON7442
설명 MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,760
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON7442 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON7442
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AON7442, AON7442 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.36 KB)
PDFAON7442 데이터 시트 표지
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AON7442 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈AlphaMOS
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2994pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

108A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

161nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10720pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

405W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

NTMS4176PR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1720pF @ 24V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

810mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF840ASTRL

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1018pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2055pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

218W (Tc)

작동 온도

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Through Hole

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