AON7900
참조 용
| 부품 번호 | AON7900 |
| PNEDA 부품 번호 | AON7900 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,556 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON7900 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON7900 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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AON7900 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A, 13A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 710pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6850pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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