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AOP610

AOP610

참조 용

부품 번호 AOP610
PNEDA 부품 번호 AOP610
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOP610 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOP610
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AOP610, AOP610 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 774.34 KB)
PDFAOP610 데이터 시트 표지
AOP610 데이터 시트 페이지 2 AOP610 데이터 시트 페이지 3 AOP610 데이터 시트 페이지 4 AOP610 데이터 시트 페이지 5 AOP610 데이터 시트 페이지 6 AOP610 데이터 시트 페이지 7

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AOP610 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds630pF @ 15V
전력-최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

NTJD4105CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMN2016LFG-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1472pF @ 10V

전력-최대

770mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

U-DFN3030-8

IRF7313TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AON4605

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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