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AOT15B65M1

AOT15B65M1

참조 용

부품 번호 AOT15B65M1
PNEDA 부품 번호 AOT15B65M1
설명 IGBT 650V 15A TO220
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 19,140
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOT15B65M1 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOT15B65M1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AOT15B65M1, AOT15B65M1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 556.47 KB)
PDFAOT15B65M1 데이터 시트 표지
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AOT15B65M1 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈Alpha IGBT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 15A
전력-최대214W
에너지 전환290µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/116ns
테스트 조건400V, 15A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)317ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

85W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IKW50N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

270W

에너지 전환

450µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/173ns

테스트 조건

400V, 25A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

FGA4060ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

1.37mJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.8ns/54.4ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

26ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IGB20N65S5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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