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AOT440L

AOT440L

참조 용

부품 번호 AOT440L
PNEDA 부품 번호 AOT440L
설명 MOSFET N-CH 40V TO220
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOT440L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOT440L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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AOT440L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

555mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1375pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI3443DVTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1079pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Micro6™(TSOP-6)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

STS5N15F3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRLR3410TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

85W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

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