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AOTF2916L

AOTF2916L

참조 용

부품 번호 AOTF2916L
PNEDA 부품 번호 AOTF2916L
설명 MOSFET N-CH 100V 5A TO220F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 22 - 3월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOTF2916L 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOTF2916L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOTF2916L, AOTF2916L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 345.5 KB)
PDFAOTF2916L 데이터 시트 표지
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  • AOTF2916L Distributor

AOTF2916L 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Ta), 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs34mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds870pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 23.5W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2470pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Ta), 237A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 170µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-LFPAK

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Gull Wing

FL6L52070L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 500mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

540mW (Ta)

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

WSSMini6-F1

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

EFC4619R-A-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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840mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

530mW (Tc)

작동 온도

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