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AOW418

AOW418

참조 용

부품 번호 AOW418
PNEDA 부품 번호 AOW418
설명 MOSFET N-CH 100V 9.5A TO262
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,158
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOW418 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOW418
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOW418, AOW418 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 63.33 KB)
PDFAOW290 데이터 시트 표지

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AOW418 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SDMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.5A (Ta), 105A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs83nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5200pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta), 333W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-262
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

69.9A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10180pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

77A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 93µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

IXFV26N60P

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제조업체

IXYS

시리즈

PolarHV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

460W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS220

패키지 / 케이스

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IRF7410PBF

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Infineon Technologies

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

91nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8676pF @ 10V

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-

전력 손실 (최대)

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1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

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Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

18W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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