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AOWF14N50

AOWF14N50

참조 용

부품 번호 AOWF14N50
PNEDA 부품 번호 AOWF14N50
설명 MOSFET N-CH 500V 14A TO262F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOWF14N50 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOWF14N50
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOWF14N50, AOWF14N50 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 285.37 KB)
PDFAOWF14N50 데이터 시트 표지
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AOWF14N50 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs51nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2297pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)28W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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Diodes Incorporated

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2569pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRLU7821

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1030pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPU135N03L G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF9Z34NL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

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IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 360µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 500V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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패키지 / 케이스

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