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AOWF25S65

AOWF25S65

참조 용

부품 번호 AOWF25S65
PNEDA 부품 번호 AOWF25S65
설명 MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOWF25S65 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOWF25S65
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
AOWF25S65, AOWF25S65 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 265.81 KB)
PDFAOWF25S65 데이터 시트 표지
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AOWF25S65 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈aMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26.4nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1278pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)28W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3441pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

IPD30N06S215ATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1485pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-11

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN1019USN-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2426pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

680mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-59

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDMC6675BZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.4mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2865pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-MLP (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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IRFZ46NS

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1696pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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