AOWF296
참조 용
| 부품 번호 | AOWF296 |
| PNEDA 부품 번호 | AOWF296 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 37A TO262F |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,490 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AOWF296 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AOWF296 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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AOWF296 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | AlphaSGT™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 37A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2785pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 26W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-262F |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 102nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5850pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 147W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 124pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 22W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO251-3 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2142pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 6.2W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads |
제조업체 Honeywell Aerospace 시리즈 HTMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.3nC @ 5V Vgs (최대) 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 28V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tj) 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 8-CDIP Exposed Pad |
