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APT10021JFLL

APT10021JFLL

참조 용

부품 번호 APT10021JFLL
PNEDA 부품 번호 APT10021JFLL
설명 MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,910
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT10021JFLL 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT10021JFLL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APT10021JFLL 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs210mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs395nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9750pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)694W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지ISOTOP®
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.1A (Ta), 43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2075pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1871pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

BUK7Y20-30B,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

688pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

59W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

SI8499DB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.77W (Ta), 13W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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