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APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

참조 용

부품 번호 APT100GLQ65JU2
PNEDA 부품 번호 APT100GLQ65JU2
설명 POWER MODULE - IGBT
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,752
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
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APT100GLQ65JU2 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT100GLQ65JU2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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APT100GLQ65JU2 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)165A
전력-최대430W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지ISOTOP®

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전력-최대

680W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

520A

전력-최대

2400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

120mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

150nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E11

공급자 장치 패키지

E11

CM300DY-24H

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

60nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

260A

전력-최대

1042W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

5µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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