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APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

참조 용

부품 번호 APT11GF120KRG
PNEDA 부품 번호 APT11GF120KRG
설명 IGBT 1200V 25A 156W TO220
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,408
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT11GF120KRG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT11GF120KRG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT11GF120KRG, APT11GF120KRG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 395.29 KB)
PDFAPT11GF120KRG 데이터 시트 표지
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APT11GF120KRG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전류-수집기 펄스 (Icm)44A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 8A
전력-최대156W
에너지 전환300µJ (on), 285µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7ns/100ns
테스트 조건800V, 8A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220 [K]

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

380W

에너지 전환

800µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

63-7000PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AOD7B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 7A

전력-최대

69W

에너지 전환

108µJ (on), 99µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/79ns

테스트 조건

400V, 7A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

212ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

HGTP7N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

STGWA50M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

375W

에너지 전환

880µJ (on), 1.57mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/130ns

테스트 조건

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

162ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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