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APT13003EZTR-G1

APT13003EZTR-G1

참조 용

부품 번호 APT13003EZTR-G1
PNEDA 부품 번호 APT13003EZTR-G1
설명 TRANS NPN 465V 1.5A TO92
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT13003EZTR-G1 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT13003EZTR-G1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
APT13003EZTR-G1, APT13003EZTR-G1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 414.8 KB)
PDFAPT13003EZTR-G1 데이터 시트 표지
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  • APT13003EZTR-G1 Distributor

APT13003EZTR-G1 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)465V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 250mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce13 @ 500mA, 2V
전력-최대1.1W
주파수-전환4MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2DD2678-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

KSE45H11

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 1V

전력-최대

1.67W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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