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APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

참조 용

부품 번호 APT13GP120BDQ1G
PNEDA 부품 번호 APT13GP120BDQ1G
설명 IGBT 1200V 41A 250W TO247
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $69.0912
50 ---------- $65.8525
100 ---------- $62.6139
200 ---------- $59.3753
400 ---------- $56.6764
500 ---------- $53.9775
재고 있음 7,732
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APT13GP120BDQ1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT13GP120BDQ1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • Microsemi Distributor
  • APT13GP120BDQ1G Price
  • APT13GP120BDQ1G Distributor

APT13GP120BDQ1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)41A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 13A
전력-최대250W
에너지 전환115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C9ns/28ns
테스트 조건600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.58V @ 15V, 12A

전력-최대

48W

에너지 전환

31µJ (on), 183µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/100ns

테스트 조건

400V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

56ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

전력-최대

190W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/116ns

테스트 조건

480V, 16A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 AA (IXSA)

IXGA4N100

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

16A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

전력-최대

40W

에너지 전환

900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/390ns

테스트 조건

800V, 4A, 120Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

STGD3NB60SDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

전력-최대

48W

에너지 전환

1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

125µs/-

테스트 조건

480V, 3A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

NGTB30N120IHRWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

384W

에너지 전환

700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/230ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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