APT13GP120BDQ1G
참조 용
| 부품 번호 | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 7,732 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT13GP120BDQ1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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APT13GP120BDQ1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 7® |
| IGBT 유형 | PT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 41A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 50A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 13A |
| 전력-최대 | 250W |
| 에너지 전환 | 115µJ (on), 165µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 55nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 9ns/28ns |
| 테스트 조건 | 600V, 13A, 5Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 [B] |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 60A 전류-수집기 펄스 (Icm) 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A 전력-최대 220W 에너지 전환 120µJ (on), 90µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 38nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 17ns/42ns 테스트 조건 300V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™, XPT™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전류-수집기 펄스 (Icm) 400A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 60A 전력-최대 540W 에너지 전환 1.38mJ (on), 3.5mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 230nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 31ns/320ns 테스트 조건 480V, 50A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지 TO-268 |
제조업체 IXYS 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대) 32A 전류-수집기 펄스 (Icm) 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 21A 전력-최대 350W 에너지 전환 4.1mJ (on), 1.25mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 157nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 27ns/270ns 테스트 조건 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 150ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 60A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대 384W 에너지 전환 700µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C -/230ns 테스트 조건 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 22A 전류-수집기 펄스 (Icm) 44A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.58V @ 15V, 12A 전력-최대 48W 에너지 전환 31µJ (on), 183µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 41ns/100ns 테스트 조건 400V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 56ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220AB Full-Pak |
