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APT13GP120KG

APT13GP120KG

참조 용

부품 번호 APT13GP120KG
PNEDA 부품 번호 APT13GP120KG
설명 IGBT 1200V 41A 250W TO220
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT13GP120KG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT13GP120KG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT13GP120KG, APT13GP120KG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 156.14 KB)
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APT13GP120KG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)41A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 13A
전력-최대250W
에너지 전환114µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C9ns/28ns
테스트 조건600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220 [K]

관심을 가질만한 제품

GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전력-최대

240W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/300ns

테스트 조건

300V, 50A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(LH)

IKZ75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™ 5

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

전력-최대

395W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

164nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/405ns

테스트 조건

400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

AOTF15B65M2

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

전력-최대

36W

에너지 전환

290µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/94ns

테스트 조건

400V, 15A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

298ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

STGB30H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

260W

에너지 전환

350µJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGS6B60KDTRRP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

26A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

90W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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