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APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

참조 용

부품 번호 APT15GN120BDQ1G
PNEDA 부품 번호 APT15GN120BDQ1G
설명 IGBT 1200V 45A 195W TO247
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $68.3887
50 ---------- $65.1830
100 ---------- $61.9773
200 ---------- $58.7716
400 ---------- $56.1001
500 ---------- $53.4287
재고 있음 16
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APT15GN120BDQ1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT15GN120BDQ1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • APT15GN120BDQ1G Distributor

APT15GN120BDQ1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
전력-최대195W
에너지 전환410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C10ns/150ns
테스트 조건800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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APT20GF120BRDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

895µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/120ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.15V @ 15V, 100A

전력-최대

1000W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

560nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

235A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

937W

에너지 전환

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

147nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/230ns

테스트 조건

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

220ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

430A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

전력-최대

625W

에너지 전환

3.77mJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/120ns

테스트 조건

400V, 80A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

150ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXXH)

SGF80N60UFTU

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

110W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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