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APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

참조 용

부품 번호 APT15GN120BDQ1G
PNEDA 부품 번호 APT15GN120BDQ1G
설명 IGBT 1200V 45A 195W TO247
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $68.3887
50 ---------- $65.1830
100 ---------- $61.9773
200 ---------- $58.7716
400 ---------- $56.1001
500 ---------- $53.4287
재고 있음 16
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APT15GN120BDQ1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT15GN120BDQ1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • APT15GN120BDQ1G Distributor

APT15GN120BDQ1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
전력-최대195W
에너지 전환410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C10ns/150ns
테스트 조건800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

200W

에너지 전환

700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/90ns

테스트 조건

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

전력-최대

200W

에너지 전환

400µJ (on), 810µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/130ns

테스트 조건

300V, 37A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT20GF120BRDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

895µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/120ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.15V @ 15V, 100A

전력-최대

1000W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

560nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

SGP13N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

85µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/70ns

테스트 조건

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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