APT22F80B
참조 용
| 부품 번호 | APT22F80B |
| PNEDA 부품 번호 | APT22F80B |
| 설명 | MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,166 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT22F80B 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT22F80B |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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APT22F80B 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4595pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 625W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 [B] |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 560pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ P7 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 211pF @ 400V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30.5W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO251-3 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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