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APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

참조 용

부품 번호 APT30GP60BDQ1G
PNEDA 부품 번호 APT30GP60BDQ1G
설명 IGBT 600V 100A 463W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT30GP60BDQ1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT30GP60BDQ1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT30GP60BDQ1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
전력-최대463W
에너지 전환260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/55ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

57W

에너지 전환

1.11mJ (on), 1.68mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/227ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

APT54GA60B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

161A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

416W

에너지 전환

534µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

158nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/112ns

테스트 조건

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRG6S320UTRRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

전력-최대

114W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/89ns

테스트 조건

196V, 12A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGAF40S65AQ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

94W

에너지 전환

132µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.8ns/81.6ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

274ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

IRG4BC30F-STRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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24LC512T-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206