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APT35GN120BG

APT35GN120BG

참조 용

부품 번호 APT35GN120BG
PNEDA 부품 번호 APT35GN120BG
설명 IGBT 1200V 94A 379W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,536
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT35GN120BG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT35GN120BG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT35GN120BG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)94A
전류-수집기 펄스 (Icm)105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
전력-최대379W
에너지 전환2.315mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C24ns/300ns
테스트 조건800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

80µJ (on), 320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/120ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-273AA

공급자 장치 패키지

SUPER-220™ (TO-273AA)

IHW20T120FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

178W

에너지 전환

1.8mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/560ns

테스트 조건

600V, 20A, 28Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

SGW13N60UFDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

85µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/70ns

테스트 조건

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

IXBF32N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

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