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APT40GR120B

APT40GR120B

참조 용

부품 번호 APT40GR120B
PNEDA 부품 번호 APT40GR120B
설명 IGBT 1200V 88A 500W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT40GR120B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT40GR120B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT40GR120B, APT40GR120B 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 151.82 KB)
PDFAPT40GR120B 데이터 시트 표지
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APT40GR120B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)88A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 40A
전력-최대500W
에너지 전환1.38mJ (on), 906µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/163ns
테스트 조건600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

456µJ (on), 411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

SGH80N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

195W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

GPA030A135MN-FDR

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

329W

에너지 전환

4.4mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

300nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/145ns

테스트 조건

600V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

450ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IXBK55N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

전력-최대

625W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

335nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.9µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

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IXYS

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

76A

전류-수집기 펄스 (Icm)

152A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/250ns

테스트 조건

480V, 39A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

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