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APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

참조 용

부품 번호 APT50GN120L2DQ2G
PNEDA 부품 번호 APT50GN120L2DQ2G
설명 IGBT 1200V 134A 543W TO264
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT50GN120L2DQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT50GN120L2DQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT50GN120L2DQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)134A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대543W
에너지 전환4495µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C28ns/320ns
테스트 조건800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.6mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/299ns

테스트 조건

400V, 50A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

IRG7CH35UED

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

630A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

전력-최대

880W

에너지 전환

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

183nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/156ns

테스트 조건

400V, 55A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

전력-최대

62W

에너지 전환

220µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/260ns

테스트 조건

800V, 2A, 91Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

STGW50NC60W

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

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게이트 차지

195nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/240ns

테스트 조건

390V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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