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APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

참조 용

부품 번호 APT50GT120JRDQ2
PNEDA 부품 번호 APT50GT120JRDQ2
설명 IGBT 1200V 72A 379W SOT227
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT50GT120JRDQ2 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT50GT120JRDQ2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APT50GT120JRDQ2, APT50GT120JRDQ2 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 450.78 KB)
PDFAPT50GT120JRDQ2 데이터 시트 표지
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APT50GT120JRDQ2 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형NPT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)72A
전력-최대379W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스ISOTOP
공급자 장치 패키지ISOTOP®

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

입력

Standard

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Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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Single

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

155A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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Standard

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No

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