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APT97N65LC6

APT97N65LC6

참조 용

부품 번호 APT97N65LC6
PNEDA 부품 번호 APT97N65LC6
설명 MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,140
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT97N65LC6 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT97N65LC6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APT97N65LC6 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)97A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs41mOhm @ 48.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 2.96mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs300nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7650pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)862W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264 [L]
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

157nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3300pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

390W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

HiP247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPI45N06S3L-13

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

65W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQA36P15

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

294W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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