APTC60DSKM35T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60DSKM35T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60DSKM35T3G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,902 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60DSKM35T3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60DSKM35T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC60DSKM35T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 72A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| 전력-최대 | 416W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A, 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 5 N-Channel (Solar Inverter) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 F1 Module 공급자 장치 패키지 F1 |
