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APTC60HM83FT2G

APTC60HM83FT2G

참조 용

부품 번호 APTC60HM83FT2G
PNEDA 부품 번호 APTC60HM83FT2G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60HM83FT2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60HM83FT2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60HM83FT2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs83mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs255nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7290pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A, 9.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

580pF @ 15V

전력-최대

1.4W, 2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc), 12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

395pF @ 15V, 730pF @ 15V

전력-최대

19W (Tc), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

공급자 장치 패키지

TO-252-4L

제조업체

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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