APTC60SKM24T1G
참조 용
| 부품 번호 | APTC60SKM24T1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC60SKM24T1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,184 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC60SKM24T1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC60SKM24T1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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- APTC60SKM24T1G Distributor
APTC60SKM24T1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 95A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 462W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ M6 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 45W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1520pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.25W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스 SC-95-6 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 320mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TUMT3 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs 143mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 7V @ 5.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 74nC @ 15V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 370W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247G 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 260pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
