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APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

참조 용

부품 번호 APTC90DDA12T1G
PNEDA 부품 번호 APTC90DDA12T1G
설명 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
제조업체 Microsemi
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APTC90DDA12T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC90DDA12T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTC90DDA12T1G, APTC90DDA12T1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 492.5 KB)
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APTC90DDA12T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET 기능Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6800pF @ 100V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.14W

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

552mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

ALD210804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

NTZD5110NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

294mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.5pF @ 20V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

APTM100DDA35T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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