APTC90H12T2G
참조 용
| 부품 번호 | APTC90H12T2G |
| PNEDA 부품 번호 | APTC90H12T2G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,500 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC90H12T2G 리소스
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APTC90H12T2G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Super Junction |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| 전력-최대 | 250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP2 |
| 공급자 장치 패키지 | SP2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Ta), 167A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 142nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9930pF @ 15V 전력-최대 2.3W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power 5x6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A, 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 766pF @ 15V 전력-최대 1.5W, 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 745pF @ 15V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V 전력-최대 3W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2245pF @ 10V 전력-최대 1.7W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric SA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ SA |
