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APTC90SKM60CT1G

APTC90SKM60CT1G

참조 용

부품 번호 APTC90SKM60CT1G
PNEDA 부품 번호 APTC90SKM60CT1G
설명 MOSFET N-CH 900V 59A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC90SKM60CT1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC90SKM60CT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APTC90SKM60CT1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs540nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13600pF @ 100V
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)462W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SP1
패키지 / 케이스SP1

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

SPP10N10L

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

154mOhm @ 8.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 21µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

444pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

TSM1N45DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 250mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±50V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

185pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

66W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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