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APTCV60HM45RT3G

APTCV60HM45RT3G

참조 용

부품 번호 APTCV60HM45RT3G
PNEDA 부품 번호 APTCV60HM45RT3G
설명 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTCV60HM45RT3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTCV60HM45RT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTCV60HM45RT3G Distributor

APTCV60HM45RT3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.15nF @ 25V
입력Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

690W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGF180DH60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGF30A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

APTGF25H120T2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

341A

전력-최대

1042W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.17V @ 15V, 300A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

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